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氧化锗，需要以下从几方面进行简述一下。
要先，锗是一种半导体。区域精炼技术已导致生产用于半导体的结晶锗，其杂质仅为万分之一的一部分，使其成为有史以来最纯净的材料之一。第一种发现（2005 年）在极强电磁场存在下成为超导体的金属材料是锗、铀和铑的合金。
纯锗会自发挤出很长的螺旋位错，称为锗晶须。这些晶须的生长是导致由锗制成的旧二极管和晶体管失效的主要原因之一，因为根据它们最终接触的内容，它们可能会导致电气短路。
正确理解锗粉怎么回收，各位朋友首选各方面了解氧化锗金属的认知，往后在回收再利用锗时您更加有把握 。
必先与大部分半导体材料不一样，锗的带隙不大，能够合理地回应红外线。因而，它用以光谱分析仪和别的必须极为灵巧的红外线探测器的光学仪器。其金属氧化物的折光率和散射特点使锗适合于广角相机摄像镜头和显微镜物镜。
一些单块效果器依然应用锗晶体三极管，作曲家们期待再现初期摇滚时代“fuzz”音质的与众不同音质特点。仅出自于这一缘故，已经知道包括锗晶体三极管的旧式单块效果器的集电结值明显提升。锗化硅合金（一般称之为“硅锗”或SiGe）正快速变成一种关键的半导体器件，用以快速集成电路芯片。运用Si-SiGe结的特点的线路能够比直接应用硅的电源电路快得多。
另外用于电子设备、锗锭或方坯需要进一步提纯，这通常通过区域精炼技术来实现。然后通过添加微量的砷、镓或其他元素来熔化和“掺杂”高纯度锗，以产生所需的电子特性。最后，使用晶种作为核心，在精心控制的温度下从熔体中生成单晶。锗单晶是在氮气或氦气气氛中从熔融材料中生长出来的。然后通过掺杂（注入）电子供体或受体原子将它们转化为半导体，方法是在晶体生长期间将杂质掺入熔体中或通过扩散晶体形成后的杂质。
总体来讲硅锗的出现——通常用其化学符号 SiGe 缩写，发音为“sig-ē”——尤其值得注意，它不是一个错误的结果，而是两个错误的结果。在纠正这些错误的过程中，IBM 的 Bernard Meyerson 博士为手机、全球定位系统 (GPS) 设备、无线宽带互联网 (WiFi) 和移动电视等无线产品的爆炸式发展奠定了基础。
在提炼回收氧化锗过程中的业务总结
一般人的习惯是不管所做的事情是否正确，只知一味地去做，这样是不对 的。唯有努力去做“对”的事情才会有高产能，要有勇敢的特质，拒绝不重要 的事，来者不拒是不好的。
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